Belçikalı Araştırmacılardan Yapay Zekaya Özel Hibrit Bellek: DRAM Hızı ile NAND Yoğunluğu Tek Çatı Altında
Teknoloji Haberleri - Teknoloji Haberleri – Belçika merkezli yarı iletken araştırma kuruluşu Imec, 3D CCD hibrit bellek teknolojisi ile yapay zeka donanımlarında yıllardır çözüm bekleyen en büyük sorunlardan birine el attı. Kurumun 12 Mayıs 2026’da Belçika’nın Leuven kentinde düzenlenen IEEE Uluslararası Bellek Çalıştayı’nda (IMW 2026) duyurduğu yeni mimari, DRAM seviyesinde hız ile NAND flash seviyesinde depolama yoğunluğunu aynı silikonda buluşturmayı hedefliyor.
Eski Kamera Teknolojisi Yeni Bir Görev Üstleniyor
Geliştirilen çözümün kalbinde “3D CCD” adı verilen bir yapı yer alıyor. CCD yani yük bağlaşımlı cihaz fikri aslında onlarca yıldır hayatımızda. Dijital kameralarda, yayın ekipmanlarında ve astronomi sensörlerinde uzun süre kullanılan bu teknoloji, üretim maliyetleri ve enerji tüketimi nedeniyle zaman içinde yerini CMOS sensörlere bırakmıştı. Imec şimdi aynı prensibi bellek alanına taşıyarak, elektrik yüklerini yarı iletken kapılar arasında fiziksel olarak hareket ettirme esasına dayanan bir depolama mekanizması inşa ediyor.
Dikey İstifleme ile Gelen Hız ve Yoğunluk Avantajı
Yeni mimarinin en kritik farkı, bellek hücrelerinin geleneksel DRAM’de olduğu gibi yatay düzlemde değil, tıpkı 3D NAND yongalarında olduğu gibi dikey olarak üst üste yerleştirilmesi. Bu sayede veri aktarım yolları kısalıyor ve birim alandaki yoğunluk katlanarak artıyor. Imec’in laboratuvar ortamında gerçekleştirdiği testlerde, 3D CCD mimarisi 4GHz seviyesini aşan yük aktarım hızlarına ulaştı.
Araştırmacılar mevcut prototipte üç kelime hattından oluşan bir yığın yapı kullandı. Dikey bellek delikleri, 3D NAND üretiminden esinlenen “del ve doldur” yöntemiyle açılıyor ve bu deliklerin çapı 80 ila 120 nanometre arasında değişiyor. Imec Depolama Belleği Program Direktörü Maarten Rosmeulen, bu yapının blok seviyesinde veri erişimi sağladığını ve bayt bazlı çalışan DRAM’e kıyasla modern yapay zeka iş yüklerine çok daha uygun olduğunu vurguluyor.
Silikon Yerine IGZO: Daha Az Sızıntı, Daha Uzun Veri Tutma
Projenin bir diğer dikkat çekici yönü ise malzeme tercihi. Imec mühendisleri geleneksel silikon kanallar yerine IGZO (indiyum galyum çinko oksit) kullanmayı seçti. Bu bileşik, silikona kıyasla belirgin ölçüde daha düşük kaçak akım, daha uzun veri saklama süresi ve düşük sıcaklıkta işlenebilme avantajları sunuyor. Ayrıca atomik katman biriktirme tekniğiyle yüksek en-boy oranına sahip dikey deliklere kusursuz şekilde uygulanabiliyor. Bu da 3D istifleme için kritik bir üretim kolaylığı anlamına geliyor. Teknoloji Haberleri - Teknoloji Medya
